三安光电(600703)：每股净资产 5.3元，每股净利润 0.69元，历史净利润年均增长 0.0%，预估未来三年净利润年均增长 1.01%，更多数据见：三安光电600703核心经营数据 三安光电的当前股价 22.96元，市盈率 67.42，未来三年的估值假设和预期收益率如下：15倍PE，预期收益率 -53.54%；20倍PE，预期收益率 -38.06%；25倍PE，预期收益率 -22.57%；30倍PE，预期收益率 -7.08%。 终端设备的无线通信模块主要分为射频前端模块（RFFEM）、射频收发模块、以及基带信号处理器三部分。 射频前端模块主要是实现信号在不同频率下的收发。射频前端包括接收通道和发射通道两大部分。一般由射频开关（Switch）、射频低噪声放大器(LNA,Low Noise Amplifier)、射频功率放大器(PA，Power Amplifier)、双工器(Duplexers)、射频滤波器(Filter)、天线调谐器(Antenna tuners) 等组成。其中：功率放大器负责发射通道的射频信号放大；滤波器负责发射及接收信号的滤波,负责频率选择，保障信号在不同频率互不干扰传输；双工器负责FDD系统的双工切换及接收/发送通道的射频信号滤波；射频开关负责接收、发射通道之间的切换；低噪声放大器主要用于接收通道中的小信号放大。 1、滤波器 滤波器包括了 SAW（声表面滤波器）、BAW（体声波滤波器）、MEMS 滤波器、IPD（Integrated Passive Devices）等。SAW、BAW 滤波器具备插入损耗低、Q 值高性能，目前是手机应用的主流滤波器。SAW 声波在压电基片材料表面传播，使用上限频率为 2.5GHz~3GHz，BAW在压电材料体内垂直传播，使用频率在 2.0GHz 以上，BAW 滤波器的尺寸还随频率升高而缩小，适合要求非常苛刻的 4G 或 5G 应用，5G 的高频率和高性能,使得 BAW的需求在 4G LTE 基础上大规模爆发。 全球SAW滤波器市场份额前五位的厂商分别为村田（47%）、TDK（21%）、太阳诱电（14%）、Skyworks（9%）、Qorvo（4%），合计占比达95%。BAW工艺复杂，进入壁垒明显高于SAW，全球BAW滤波器市场份额前三位为博通（87%）、Qorvo（8%）、太阳诱电（3%），三家合计占比达98%。 2、射频开关RFswitch 2018 年全球前四大射频开关厂商Skyworks、Qorvo、Murata 及 Broadcom 市场份额合计占比超过 80%。但作为大陆本土的设计公司卓胜微凭借自身实力打开市场，市场份额占比达到 10%，成为全球第五大射频开关龙头企业。 3、功率放大器PA 国内射频PA三大市场：手机市场、WIFI市场、基站市场。根据调研机构Yole统计，手机PA市场约占65%，WIFI PA市场约占20%，基站市场约占10%，其他为5%。 目前射频PA的主流工艺是GaAs，之外还有CMOS、SOI和SiGe工艺。Qorvo预计随着5G的来临，8GHz以下GaAsPA仍是主流，但8GHz以上GaN有望在手机市场成为主力。 GaAs射频器件被国际巨头垄断，主要厂商有美国Skyworks、Qorvo、Broadcom，日本村田等，晶圆代工市场主要由台湾厂商稳懋、宏捷科技、环宇通讯等占有。 在所有射频前端器件中，射频 PA 的价值量仅次于滤波器，是射频前端器件中价值量较大的器件。 PA 的核心是晶体管，晶体管发展出多种材料工艺 射频半导体主要经历了由第一代半导体到第三代半导体的三个阶段的发展，其制造工艺结构也经历了由基础的 BJT、FET 向更复杂的 HBT、LDMOS 和 HEMT 等的发展。 扩展资料：GaAs工艺的未来 砷化镓（GaAs）分为三类：HBT、pHEMT、MESFET。频谱范围：1GHz到100GHz，满足低频到高频应用。射频前端芯片产品中，射频PA采用HBT工艺，RF switch和LNA采用pHEMT工艺。 RF switch和LNA已转向SOI工艺，这是大势所趋。据悉，SONY关闭了pHEMT工艺线。SiGe抢食了一部分GaAs HBT份额，而且有扩大趋势。CMOS已经抢走了低频GaAs HBT市场。随着5G的到来，Qorvo 预测，8GHz以下砷化镓仍是主流，8GHz以上氮化镓替代趋势明显。氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体，因具有高功率密度、能耗低、适合高频率、支持更宽带宽等特点，国际射频PA巨头已经在GaN上投入了巨额资金研究。 GaAs HBT工艺基于其稳定性与不错的性价比，未来将维持一定比重。作为射频PA的主流工艺，其研发工作仍在不断的进行中，必将拓展GaAs HBT的应用空间。GaAs pHEMT也是很好的工艺，如果能持续加以开发和利用，也会有不错的市场前景。 基带芯片是一种集成度非常复杂的SOC，主流的基带芯片支持多种网络制式，即在一颗基带芯片上支持所有的移动网络和无线网络制式，包括2G、3G、4G和WiFi等，多模移动终端可实现全球范围内多个移动网络和无线网络间的无缝漫游。目前大部分基带芯片的基本结构是微处理器和数字信号处理器，微处理器是整颗芯片的控制中心，大部分使用的是ARM核，而DSP子系统负责基带处理。（来源：《李丹.基带芯片中CPU的低功耗设计[D]》西安电子科技大学出版社2016）随着英特尔的退出，全球 5G 基带芯片格局基本成型，只剩下高通、三星、联发科、华为、紫光展锐这五位。 $三安光电(SH600703)$ $卓胜微(SZ300782)$ $信维通信(SZ300136)$ 作者：剑锋123456原文链接：https://xueqiu.com/6169715272/171449146 转载请注明：www.51xianjinliu.com » 三安光电2射频前端模块 喜欢 (0)or分享 (0)
